特許
J-GLOBAL ID：200903074456702820

GaN系化合物半導体発光素子の製造方法

発明者：
園部 雅之

園部 雅之 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 根本 恵司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-344073
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174335
出願日： 1998年12月03日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】 サファイア基板上にGaN系化合物半導体層からなるヘテロ接合層を結晶成長させる場合に、良好な結晶成長を妨げるウェハ(サファイア基板と成長させた結晶層を含む)に生じる反りを抑止し、性能のよい結晶を得るようにすること。【解決手段】n-GaNクラッド層2及びp-AlGaNクラッド層4に挟まれInGaNからなる活性層3を成長させることによりヘテロ構造を形成するが、そのために必要な大きな成長温度の変更がサファイア基板1とクラッド層2の熱膨張差となりウェハの反りを生じる。反りの緩和をはかるため、結晶成長を行う前に半導体結晶が積層されるべきサファイア基板面に溝1gを形成する。溝1gにより熱膨張により生じる伸縮を吸収し、反りの緩和をはかる。溝はダイシング用の溝に共用することができる。
請求項（抜粋）：
サファイア基板上にGaN系化合物半導体からなるヘテロ接合層を結晶成長させる工程を含むGaN系化合物半導体発光素子の製造方法において、結晶成長工程の前処理としてサファイア基板の少なくとも片面に溝を形成する工程を含むことを特徴とするGaN系化合物半導体発光素子の製造方法
Fターム (5件)：
5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76 ,  5F041FF01
引用特許：
審査官引用 (7件)
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