3族窒化物半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-150271
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312418
出願日： 1996年05月21日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：

【要約】【課題】素子特性や信頼性に優れた半導体素子を提供すること。【解決手段】発光ダイオード10は、サファイア基板1上に順に0.05μmのAlNバッファ層2、膜厚約2.5 μm、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコン(Si)ドープGaN から成る高キャリア濃度n+ 層3、膜厚約0.5 μm、電子濃度 5×1017/cm3のSiドープの(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1N から成るn層4、膜厚約0.05μm、(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2Nから成る活性層5,膜厚約1.0 μm、ホール濃度5 ×1017/cm3のマグネシウム(Mg) ドープの(Alx3Ga1-x3)y3In1-y3N から成るp層6、膜厚約0.2 μm、ホール濃度7 ×1017/cm3のMgドープのGaN から成るコンタクト層7が形成されている。そして、コンタクト層7とn+ 層3とに接続する金属電極8と9がそれぞれ形成されている。基板1の裏面には、膜圧0.05μmのAlN の裏面バッファ層12、膜厚約4.3 μmのGaN の裏面GaN 層13、膜圧0.15μmのSiO2層14が順に形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体または絶縁体からなる基板と、その上に形成された少なくとも1層の3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;0≦X ≦1,0≦Y ≦1, 0≦X+Y ≦1) から成る素子層と、前記基板において前記素子層が形成されている面と反対側の面に形成された少なくとも1層の半導体または絶縁体からなる裏面層を有することを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , C30B 29/40 502 , H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 33/00 C , C30B 29/40 502 B , H01L 27/12 S

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平4-273173
特開平4-242985
p型GaN系半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-162473 出願人：三菱電線工業株式会社

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