特許
J-GLOBAL ID：200903074490480969
メモリー素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-149102
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077442
出願日： 1995年05月02日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 微小磁界動作が可能で比較的大きなMR比を示す高感度磁気抵抗素子および磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。半導体を用いない非破壊読み出しが可能な不揮発性のメモリー素子および増幅素子を提供する。【解決手段】 基板と、その基板の上に形成された多層構造であって、硬質磁性膜と、軟磁性膜と、その硬質磁性膜とその軟磁性膜とを分離する非磁性金属膜とを含む多層構造とを有する磁気抵抗効果素子であって、その硬質磁性膜の磁化曲線は良好な角型性を有しており、その硬質磁性膜の磁化容易軸方向は検知すべき磁界の方向と実質的に一致する磁気抵抗効果素子。
請求項（抜粋）：
第一磁性膜と第二磁性膜と、前記第一磁性膜と前記第二磁性膜を分離する非磁性膜とを含み、前記第一磁性膜と前記第二磁性膜との間が非交換結合タイプの磁気抵抗変化部と、情報記録のための第一電流と情報読み出しのための第二電流とを流す導体線とを有する素子をマトリックス状に配列したメモリー素子であって、前記第一磁性膜の磁化曲線は良好な角型性を有しており、前記第一磁性膜は、前記第一電流によって生じる磁界により前記第一磁性膜の磁化を反転しうるが、前記第二電流によって生じる磁界では前記第一磁性膜の磁化を反転しえない保磁力を有しており、前記第二磁性膜は、前記第一電流によって生じる磁界および前記第二電流によって生じる磁界により前記第二磁性膜の磁化を反転しうる保磁力を有していることを特徴とするメモリー素子。
IPC (7件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01F 10/14
, H01F 10/16
, H01L 27/105
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G11C 11/14 A
, G11C 11/15
, H01F 10/14
, H01F 10/16
, H01L 27/10 447
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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