特許
J-GLOBAL ID：200903074527608880
トレンチ型絶縁ゲート半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-173019
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007326
出願日： 1999年06月18日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】トレンチゲートを有する半導体装置において、トレンチ底部の角部における曲率半径Rとゲート絶縁膜の膜厚Tとの比R/Tの値を2.0〜3.5に設定することを最も主要な特徴とする。【解決手段】N型のエピタキシャル層12と、このエピタキシャル層上に形成されたP型ベース層13及びN型ソース層14と、トレンチ16と、トレンチ内周面上に形成されたゲート絶縁膜17と、トレンチ内に埋め込まれたゲート電極18とを具備し、トレンチ底部の角部における曲率半径をR、ゲート絶縁膜のシリコン酸化膜に換算した膜厚をTとしたときに、R/Tの値が2.0〜3.5の範囲となるようにトレンチ底部の角部における曲率半径Rが設定されている。
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1半導体領域と、上記第1半導体領域上に形成され、上記第1導電型とは反対導電型の第2導電型の第2半導体領域と、上記第2半導体領域上に形成された第1導電型の第3半導体領域と、上記第3半導体領域の表面から上記第1半導体領域に達するように形成されたトレンチと、少なくとも上記トレンチの内周面上に形成されたゲート絶縁膜と、上記トレンチ内に埋め込まれたゲート電極とを具備し、上記トレンチ底部の角部における曲率半径をR、上記ゲート絶縁膜のシリコン酸化膜に換算した膜厚をTとしたときに、R/Tの値が2.0〜3.5の範囲となるように上記トレンチ底部の角部における曲率半径Rが設定されてなることを特徴とするトレンチ型絶縁ゲート半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 653 C
, H01L 29/78 658 G
