特許
J-GLOBAL ID：200903074591222316

有機添加剤含有のTAバリアスラリー

発明者：
サホタ,カシュミール・エス

サホタ,カシュミール・エス について

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ショナウアー,ダイアナ・エム

ショナウアー,ダイアナ・エム について

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アバンジノ,スティーブン・シィ

アバンジノ,スティーブン・シィ について


出願人/特許権者：
アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド

アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-535479
公開番号（公開出願番号）：特表2003-514374
出願日： 2000年11月03日
公開日（公表日）： 2003年04月15日
要約：
【要約】銅メタライゼーションの際の化学機械研磨(CMP)に対するTaバリアスラリーは、沈殿および銅ステインの形成を抑止する有機添加剤を含む。この有機添加剤はシリカまたは銅の表面に複数の強い吸着結合を形成する化合物の種類から選択され、それは反応性種に対して高度の表面カバレッジを提供することによって可能性のある反応部位を占有し、またそれは新たな結合生成をもたらす2つの反応物分子間の衝突を立体的に妨げるように大きさを定められる。
請求項（抜粋）：
銅およびシリカを含む集積回路メタライゼーション構造におけるTaバリア層を研磨するための化学機械研磨(CMP)スラリーであって、前記CMPスラリーは 水性媒質に懸濁される研磨剤粒子と、 銅腐食抑制化合物とを含み、 前記CMPスラリーは分子を含む有機添加剤を付加的に含み、前記添加剤分子は前記シリカおよび前記銅からなる群の少なくとも1つに吸着しかつ複数の吸着化学結合を形成し、 前記有機添加剤は前記銅と、前記シリカと、前記銅腐食抑制化合物との化学反応を抑止することを特徴とする、CMPスラリー。
IPC (6件)：
H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 621 ,  B24B 37/00 ,  B24B 57/02 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14
FI (6件)：
H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 621 D ,  B24B 37/00 H ,  B24B 57/02 ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z
Fターム (6件)：
3C047FF08 ,  3C047GG20 ,  3C058AA07 ,  3C058CA01 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12
引用特許：
審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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