特許
J-GLOBAL ID：200903074617069864
多結晶薄膜とその製造方法および酸化物超電導導体とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
志賀 正武 (外3名)
, 志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-295977
公開番号（公開出願番号）：特開2001-114594
出願日： 1999年10月18日
公開日（公表日）： 2001年04月24日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、基材の被成膜面に対して直角向きにY2O3等の希土類酸化物C型の結晶粒の結晶軸のc軸を配向させることができると同時に、被成膜面と平行な面に沿って先の結晶粒の結晶軸のa軸およびb軸をも揃えることができ、結晶配向性に優れた多結晶薄膜を提供すること、結晶配向性に優れた酸化物超電導層を備えた酸化物超電導導体の提供を目的とする。【解決手段】 本発明は、多結晶基材Aの被成膜面上に形成されたY2O3、Sc2O3、Nd2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Yb2O3、Lu2O3、Pm2O3のいずれかの組成式で示される希土類酸化物C型の結晶構造を有する酸化物の結晶粒20を主体としてなる多結晶薄膜Bであって前記多結晶基材の被成膜面と平行な面に沿う前記多結晶薄膜の各結晶粒の同一結晶軸が構成する粒界傾角が30度以下にされてなる。
請求項（抜粋）：
多結晶基材の被成膜面上に形成されたY2O3、Sc2O3、Nd2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Yb2O3、Lu2O3、Pm2O3のいずれかの組成式で示される希土類酸化物C型の結晶構造を有する酸化物の結晶粒を主体としてなる多結晶薄膜であって前記多結晶基材の被成膜面と平行な面に沿う前記多結晶薄膜の各結晶粒の同一結晶軸が構成する粒界傾角が、30度以下にされてなることを特徴とする多結晶薄膜。
IPC (2件)：
C30B 29/22 501
, H01B 12/06 ZAA
C30B 29/22 501 K
, H01B 12/06 ZAA
4G077AA03
, 4G077AA07
, 4G077BC51
, 4G077DA01
, 4G077ED04
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EF02
, 4G077EF03
, 5G321AA01
, 5G321AA04
, 5G321CA04
, 5G321CA21
, 5G321CA27
, 5G321CA28
, 5G321DB37
, 5G321DB39
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
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