特許
J-GLOBAL ID：200903092303121606

半導体装置及びその製造方法

発明者：
佐原 隆一

佐原 隆一 について

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中村 嘉文

中村 嘉文 について

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下石坂 望

下石坂 望 について

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隈川 隆博

隈川 隆博 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-002318
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204678
出願日： 1998年01月08日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップと外部機器とを接続するための配線を微細化し、信頼性を向上できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体チップ10の電極11に接続された第1の配線20Aと、第1の配線20Aの一部を覆い、かつ電極11が配置された領域を開口するように設けられた低弾性を有する絶縁層30と、絶縁層30上にわたって設けられ第1の配線20Aに接続された第2の配線21と、絶縁層30上に設けられ第2の配線21につながるランド22と、ランド22を開口して設けられたソルダーレジスト40と、ランド22上に設けられた金属ボール50とを備え、絶縁層30は開口部においてくさび状の断面形状を有する。
請求項（抜粋）：
主面上に電極が配置された半導体チップと、前記電極を被覆するようにして該電極に接続された第1の配線と、前記主面上に設けられ前記第1の配線の一部を被覆して前記電極が配置されている領域を開口した絶縁層と、前記絶縁層の上に設けられ外部機器との間で信号を授受するための外部電極端子と、前記第1の配線と外部電極端子とを接続するための第2の配線とを備えたことを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 23/12 L ,  H01L 23/12 Q
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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