特許

J-GLOBAL ID：200903074670846767

半導体露光方法及び装置とそれに用いる反射型マスク

発明者： 佐藤 隆史 ,  稲 秀樹
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 日比谷 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-375743
公開番号（公開出願番号）：特開2000-182951
出願日： 1998年12月17日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 コマ収差が存在する投影光学系を使用しても高解像力を可能とする。【解決手段】 照明用光源からの露光照明光は、反射型マスク、反射投影光学系のミラー群を介して、鉛直方向からウエハW上に照射され、反射型マスク上の吸収体パターン10がウエハWに露光される。このとき、露光照明光の波長をλとし、Nを自然数としたときに、吸収体パターン10の高さHをN・λ/2とすることにより、反射投影光学系に残存するコマ収差を最小にすることができる。

請求項（抜粋）：

中心波長λの光で反射型マスクパターンをウエハ上に転写する際に、使用する反射型マスクの吸収体パターンの高さを、Nを自然数としたときに、N・λ/2とすることを特徴とする半導体露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521

FI (4件)：

H01L 21/30 517 ,  G03F 1/08 Z ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P

Fターム (8件)：

2H095BA01 ,  2H095BB02 ,  2H095BC09 ,  5F046AA25 ,  5F046CA07 ,  5F046CB02 ,  5F046CB17 ,  5F046DA13

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体露光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-181561   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体露光方法及び装置とそれに用いるレクチル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-365714   出願人：キヤノン株式会社
• レチクル、及び露光方法、及び半導体露光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-375733   出願人：キヤノン株式会社
• 位置検出装置及びそれに用いる位置検出用物体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-114155   出願人：キヤノン株式会社