レチクル、及び露光方法、及び半導体露光装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高梨幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-375733
公開番号（公開出願番号）：特開2000-181050
出願日： 1998年12月17日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】従来の透過型レチクルのクロムパターンあるいはEUV を露光光としたときに使用する反射型マスクの吸収体の高さを、投影光学系に残存するコマ収差の影響が最大となる条件にして、投影光学系のコマ収差を評価することを可能とするレチクル、及び露光方法、及び半導体露光装置を実現すること。【解決手段】透過型のレチクル上に形成されたパターンを中心波長λを用いた投影光学系により転写する露光方法において、前記パターンの高さが(2N-1)・λ/4 (Nは正の整数)であるレチクルを用いて露光すること。

請求項（抜粋）：

透過型のレチクル上に形成されたパターンを中心波長λを用いた投影光学系により転写する露光方法において、前記パターンの高さが(2N -1)・λ/4 (N は正の整数)であるレチクルを用いて露光することを特徴とする露光方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/08 G , H01L 21/30 502 M , H01L 21/30 515 F

Fターム (7件)：

2H095BA02 , 2H095BB35 , 2H095BC04 , 5F046AA25 , 5F046BA04 , 5F046BA05 , 5F046CB17

引用特許：

審査官引用 (9件)

ホトマスクおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-046691 出願人：富士通株式会社
投影光学系の検査方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-306764 出願人：株式会社ニコン
特開平4-118914

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