特許
J-GLOBAL ID：200903097048368254
半導体露光方法及び装置とそれに用いるレクチル
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日比谷 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-365714
公開番号（公開出願番号）：特開平11-184069
出願日： 1997年12月22日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 コマ収差が存在する投影光学系を使用した露光装置においても十分な高解像力を可能とする。【解決手段】 レチクル3には石英ガラス基盤4の所定位置に所定高さHのクロム層5が形成しておき、クロム層5の高さHは露光のための中心波長λに対して、H=N・λ(Nは正の整数)条件を満たす近傍の値とする。
請求項（抜粋）：
中心波長λによりレチクルパターンを投影光学系を介してウエハ上に転写する光リソグラフィによる半導体露光方法において、使用するレチクルのクロムパターンの高さをN・λ(Nは正の整数)の近傍とすることを特徴とする半導体露光方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 G
, H01L 21/30 502 P
