特許
J-GLOBAL ID：200903074788334400

半導体メモリ

発明者：
桧垣 直志

桧垣 直志 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 平戸 哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-231268
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045189
出願日： 2001年07月31日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：
【要約】【課題】マイクロプロセッサに搭載されるキャッシュメモリなどに適用して好適な半導体メモリに関し、メモリセルの記憶データの他のメモリへの転送という処理を要せず、低消費電力化を図ることができるようにする。【解決手段】エントリごとにメモリセル群に対応して電源切断回路を設け、記憶データが無効であるエントリのメモリセル群のメモリセルには電源を供給しないようにし、記憶データが無効であるエントリのメモリセル群のメモリセルにオフリーク電流が流れないようにする。
請求項（抜粋）：
記憶データが無効であるメモリセルと電源とを切断する電源切断回路を設けていることを特徴とする半導体メモリ。
IPC (6件)：
G11C 11/417 ,  G06F 12/08 553 ,  G06F 12/08 579 ,  G11C 7/00 311 ,  G11C 11/41 ,  G11C 11/413
FI (6件)：
G06F 12/08 553 B ,  G06F 12/08 579 ,  G11C 7/00 311 E ,  G11C 11/34 305 ,  G11C 11/34 Z ,  G11C 11/34 335 A
Fターム (9件)：
5B005JJ00 ,  5B005MM01 ,  5B005UU13 ,  5B015JJ05 ,  5B015KA13 ,  5B015KA28 ,  5B015KB74 ,  5B015KB91 ,  5B015QQ01
引用特許：
審査官引用 (12件)
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