特許
J-GLOBAL ID：200903074790784153
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
片山 修平
, 横山 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-130143
公開番号（公開出願番号）：特開2008-288297
出願日： 2007年05月16日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：
【課題】本発明は、X線による電極と半田バンプとの接合状態の検査を、簡易かつ迅速に行うことができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体装置100は、半導体チップ10と、半導体チップ10に設けられた第1形状90を有する第1電極30と、半導体チップ10が実装された実装部20と、実装部20に設けられた、第1形状90とは異なる第2形状92を有する第2電極32と、第1電極30及び前記第2電極32を接合する第1半田バンプ40と、を具備し、第1半田バンプ40は、第1電極30及び前記第2電極32の表面全体を覆っている。第1半田バンプ40に対してX線による検査を行い、第1半田バンプ40の形状から接合状態の良否を判定する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
半導体チップと、
前記半導体チップに設けられた第1形状を有する第1電極と、
前記半導体チップが実装された実装部と、
前記実装部に設けられた、前記第1形状とは異なる第2形状を有する第2電極と、
前記第1電極及び前記第2電極を接合する第1半田バンプと、
を具備し、
前記第1半田バンプは、前記第1電極及び前記第2電極の表面全体を覆っていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
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