特許
J-GLOBAL ID：200903074821723530
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-242632
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068583
出願日： 1999年08月30日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 デカップリングコンデンサにより、半導体集積回路素子に低抵抗かつ低インダクタンスで安定した電源供給およびグランド電位の供給を行なう。【解決手段】 上面にコンデンサ4を収容する凹部1aを有し、凹部1aの開口周辺に配線導体2が形成されるとともに凹部1aの底面に電源供給端子3が形成された絶縁基体1と、凹部1a内に収容され、電源供給端子3に一方の端子電極が接続されたコンデンサ4と、絶縁基体1上に凹部1aの開口を覆うように取着され、電源電極がコンデンサ4の他方の端子電極に、信号電極が絶縁基体1の配線導体2にそれぞれ電気的に接続された半導体集積回路素子8とを具備する半導体装置8である。デカップリングコンデンサ4を半導体集積回路素子6の直近に極めて近接して配置させることができ、両者の接続部の抵抗やインダクタンスを最小にすることができる。
請求項（抜粋）：
上面にコンデンサを収容する凹部を有し、該凹部の開口周辺に配線導体が形成されるとともに前記凹部の底面に電源供給端子が形成された絶縁基体と、前記凹部内に収容され、前記電源供給端子に一方の端子電極が電気的に接続されたコンデンサと、前記絶縁基体上に前記凹部の開口を覆うように取着され、電源電極が前記コンデンサの他方の端子電極に、信号電極が前記配線導体にそれぞれ電気的に接続された半導体集積回路素子とを具備することを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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