特許
J-GLOBAL ID：200903074873086628

真空マイクロ素子及びその製造方法

発明者：
佐久間 尚志

佐久間 尚志 について

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酒井 忠司

酒井 忠司 について

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小野 富男

小野 富男 について

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中山 和也

中山 和也 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-265254
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154455
出願日： 1998年09月18日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：
【要約】【課題】本発明は、ダイヤモンドをエミッタに使用した場合の特性を最大限に活かす新しい真空マイクロ素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】底部を尖らせた凹部102を有するSi基板101にゲート絶縁層となる熱酸化膜層3を形成し、連続してエミッタ層となるn型ダイヤモンドグレーテッド層104を形成する。Si基板と第2の基板であるガラス基板105を接合し、Si基板101をエッチングにより除去する。次に、エミッタ層であるn型ダイヤモンドグレーテッド層の凸部を露出させるためにゲート電極層、ゲート絶縁層である熱酸化膜層を順次エッチングし、ダイヤモンドエミッタを形成する。
請求項（抜粋）：
電子を電界放出するエミッタと、その放出を制御するゲート電極とを有する真空マイクロ素子において、エミッタのバンドギャップを連続的に変化させることを特徴とする真空マイクロ素子。
IPC (2件)：
H01J 1/30 ,  H01J 9/02
FI (3件)：
H01J 1/30 F ,  H01J 1/30 A ,  H01J 9/02 B
引用特許：
審査官引用 (4件)
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