特許
J-GLOBAL ID：200903085825707345
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-184232
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022204
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 簡略な構成で確実に電流を狭窄し、低しきい値化や実屈折率モード制御を可能とする発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 アルミニウムを含んだ選択酸化層自体、およびそれに隣接して形成されたアルミニウムを含む層がともに酸化される構造とすることにより、電流ブロック領域となる選択酸化部のストレスを緩和し、さらに実効的な屈折率差を大きくし、実屈折率ガイドの効果を大きくすることができる。
請求項（抜粋）：
活性層と、前記活性層の上に設けられアルミニウムを含有する第1の層と、前記第1の層の上にメサを構成するように積層され前記第1の層よりも高い濃度のアルミニウムを含有する第2の層と、を備え、前記メサの底面部に露出した前記第1の層と前記メサの側面部に露出した前記第2の層とがそれぞれ酸化され、前記メサの内部に向かって厚さが薄くなる楔状の断面形状の酸化物領域を有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
5F041CA34
, 5F041CA36
, 5F041CA73
, 5F041CA77
, 5F041CB02
, 5F041CB04
, 5F041CB05
, 5F073AA07
, 5F073AA13
, 5F073AA51
, 5F073CA05
, 5F073CA14
, 5F073DA16
, 5F073DA27
審査官引用 (15件)
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面発光型ダイオード及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-226126
出願人：日本電気株式会社
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半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-177021
出願人：古河電気工業株式会社
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特開昭51-140586
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