特許
J-GLOBAL ID：200903087591037203

半導体発光素子

発明者：
佐藤 俊一

佐藤 俊一 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-255421
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084163
出願日： 1996年09月05日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：
【要約】【課題】 ヘテロ障壁ΔEcおよびΔEvをともにレーザ発振するために必要なほど大きくできる材料系を提案し、この材料系を用いて、温度特性の良好な赤色半導体レーザ,室温において600nm以下の短波長で発振する可視半導体レーザや、高発光効率の可視発光ダイオードなどの半導体発光素子を提供する。【解決手段】 この半導体発光素子は、面方位が(100)面から[011]方向に15°傾いているn-GaAs基板101上に、n-GaAsバッファ層102,n-(Al0.7Ga0.3)0.51In0.49Pクラッド層103,(Al0.2Ga0.8)0.49In0.51N0.01P0.99活性層104,p-(Al0.7Ga0.3)0.51In0.49Pクラッド層105,p-GaAsコンタクト層106が、例えばMOCVD法により、順次に形成されたものとなっている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、V族元素としてN(窒素)を含んだIII-V族混晶半導体層を活性層として用いた半導体発光素子において、前記活性層は(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>N<SB>z</SB>P<SB>1-z</SB>(0≦x≦1、0≦y≦1、0<z<1)であることを特徴とする半導体発光素子。
引用特許：
審査官引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM