特許
J-GLOBAL ID：200903074901474540
窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-141188
公開番号（公開出願番号）：特開2002-344088
出願日： 2001年05月11日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：
【要約】【課題】 改善された低い閾値電流密度を有する窒化物半導体レーザ素子を提供する【解決手段】 窒化物半導体レーザ素子は、窒化物半導体基板の一主面上に形成された溝と丘を含む加工基板101と、この加工基板の溝と丘を覆う窒化物半導体下地層102と、この窒化物半導体下地層上でn型層103〜105とp型層107〜110との間において量子井戸層または量子井戸層とこれに接する障壁層を含む発光層106を含む窒化物半導体多層発光構造とを含み、丘の幅方向の中央から1μm以上離れかつその丘の幅内の領域の上方に多層発光構造の電流狭窄部が形成されている。
請求項（抜粋）：
窒化物半導体基板の一主面上に形成された溝と丘を含む加工基板と、前記加工基板の溝と丘を覆う窒化物半導体下地層と、前記窒化物半導体下地層上でn型層とp型層との間において量子井戸層または量子井戸層とこれに接する障壁層を含む発光層を含む窒化物半導体多層発光構造とを含み、前記丘の幅方向の中央から1μm以上離れかつその丘の幅内の領域の上方に前記発光構造の電流狭窄部が形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (3件)：
H01S 5/343 610
, G11B 7/125
, H01L 21/205
H01S 5/343 610
, G11B 7/125 A
, H01L 21/205
5D119AA11
, 5D119AA22
, 5D119BA01
, 5D119EB02
, 5D119FA05
, 5D119FA17
, 5F045AA04
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AD14
, 5F045AF09
, 5F045AF11
, 5F045BB11
, 5F045BB16
, 5F045CA12
, 5F045DA55
, 5F073AA13
, 5F073AA74
, 5F073BA05
, 5F073BA06
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073CB19
, 5F073CB22
, 5F073DA05
, 5F073DA32
, 5F073EA23
