特許
J-GLOBAL ID：200903074954589225
トンネル接合を含む発光装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (9件)：
中村 稔
, 大塚 文昭
, 熊倉 禎男
, 宍戸 嘉一
, 今城 俊夫
, 小川 信夫
, 村社 厚夫
, 西島 孝喜
, 箱田 篤
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-337723
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128502
出願日： 2003年09月29日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】 半導体発光装置、より詳細にはトンネル接合を組み込んだ半導体発光装置を提供する。【解決手段】 第1の活性領域、第2の活性領域、及びトンネル接合を含む発光装置。該トンネル接合は、第1の導電型の層及び第2の導電型の層を含み、両方とも第1の活性領域を取り囲む第1の導電型の層及び第2の導電型の層よりも薄い。該トンネル接合は、活性領域の垂直積み重ねを可能にし、それによって光源のサイズを増大することなく装置が発生する光を増加させることができる。【選択図】 図1A
請求項（抜粋）：
第1の導電型の第1の層と、
第2の導電型の第1の層と、
前記第1の導電型の第1の層と前記第2の導電型の第1の層との間に配置された第1の活性領域と、
前記第1の導電型の第1の層よりも大きなドーパント濃度を有する第1の導電型の第2の層、及び
前記第2の導電型の第1の層よりも大きなドーパント濃度を有する第2の導電型の第2の層、
を含むトンネル接合と、
第1の導電型の第3の層と、
第2の導電型の第3の層と、
前記第1の導電型の第3の層と前記第2の導電型の第3の層との間に配置された第2の活性領域と、
を含み、
前記トンネル接合は、前記第1の活性領域と前記第2の活性領域との間にある、
ことを特徴とするIII族窒化物発光装置。
IPC (3件)：
H01S5/343
, H01L33/00
, H01S5/022
H01S5/343 610
, H01L33/00 C
, H01L33/00 N
, H01S5/022
5F041AA03
, 5F041AA31
, 5F041AA47
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA53
, 5F041CA57
, 5F041DA07
, 5F041DA09
, 5F041DA17
, 5F041DA25
, 5F041DA74
, 5F041DA77
, 5F041FF16
, 5F073AA42
, 5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073BA09
, 5F073CA01
, 5F073CA03
, 5F073CA22
, 5F073CB12
, 5F073CB13
, 5F073EA29
, 5F073FA27
, 5F073FA29
, 5F073FA30
出願人引用 (2件)
-
米国特許出願一部番号09/823,824
-
米国特許出願一連番号10/033,349
審査官引用 (7件)
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引用文献：
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