単結晶薄膜を有する基板の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：奥山尚一 , 有原幸一 , 松島鉄男 , 河村英文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-028783
公開番号（公開出願番号）：特開2009-231816
出願日： 2009年02月10日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：

【課題】特別な基板を用いなくても結晶欠陥がほとんど無い単結晶薄膜を有する基板を容易に製造することができる方法を提供することを目的とする。【解決手段】少なくとも、ドナー基板とハンドル基板を準備する工程Aと、前記ドナー基板上に単結晶層を積層成長させる工程Bと、前記単結晶層が形成されたドナー基板の単結晶層中にイオン注入してイオン注入層を形成する工程Cと、前記イオン注入されたドナー基板の単結晶層の表面と前記ハンドル基板の表面を貼り合わせる工程Dと、前記貼り合わせられたドナー基板の前記単結晶層中のイオン注入層で剥離する工程Eとにより前記ハンドル基板上に単結晶薄膜を形成し、少なくとも、前記単結晶薄膜が形成されたハンドル基板をドナー基板として前記A〜Eの工程を繰り返すことを特徴とする単結晶薄膜を有する基板の製造方法を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

単結晶薄膜を有する基板の製造方法であって、少なくとも、ドナー基板とハンドル基板を準備する工程Aと、前記ドナー基板上に単結晶層を積層成長させる工程Bと、前記単結晶層が形成されたドナー基板の単結晶層中にイオン注入してイオン注入層を形成する工程Cと、前記イオン注入されたドナー基板の単結晶層の表面と前記ハンドル基板の表面を貼り合わせる工程Dと、前記貼り合わせられたドナー基板の前記単結晶層中のイオン注入層で剥離する工程Eとにより前記ハンドル基板上に単結晶薄膜を形成し、少なくとも、前記単結晶薄膜が形成されたハンドル基板をドナー基板として前記A〜Eの工程を繰り返すことを特徴とする単結晶薄膜を有する基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/02 , C30B 25/18 , C30B 23/00 , C30B 19/12

FI (5件)：

H01L21/20 , H01L21/02 B , C30B25/18 , C30B23/00 , C30B19/12

Fターム (48件)：

4G077AA03 , 4G077BA03 , 4G077BA04 , 4G077BB07 , 4G077BE08 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077CG01 , 4G077DA01 , 4G077DB01 , 4G077ED04 , 4G077ED06 , 4G077EF02 , 4G077FJ03 , 4G077HA12 , 4G077QA72 , 4G077TC13 , 4G077TC16 , 4G077TK08 , 4G077TK11 , 5F152LL03 , 5F152LL07 , 5F152LL13 , 5F152LM09 , 5F152LN03 , 5F152LN22 , 5F152LN26 , 5F152LN27 , 5F152LP02 , 5F152LP07 , 5F152LP09 , 5F152MM05 , 5F152MM09 , 5F152MM18 , 5F152NN03 , 5F152NN05 , 5F152NN09 , 5F152NN10 , 5F152NN13 , 5F152NN22 , 5F152NN23 , 5F152NP09 , 5F152NP13 , 5F152NP14 , 5F152NQ02 , 5F152NQ03 , 5F152NQ09 , 5F152NQ10

引用特許：

審査官引用 (5件)

SOI基板の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-024632 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-039504 出願人：信越化学工業株式会社
半導体基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-099541 出願人：三菱住友シリコン株式会社, 学校法人漢陽学園

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