特許
J-GLOBAL ID：200903066675093675
エピタキシャル成長層の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
花村 太
, 佐藤 正年
, 佐藤 年哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-520719
公開番号（公開出願番号）：特表2006-528593
出願日： 2004年07月07日
公開日（公表日）： 2006年12月21日
要約：
本発明はエピタキシャル成長層(6)の形成方法に関し、エピタキシー用支持体(9, 9')とその形成方法にも関する。この方法は、a)支持基板となる第1基板(1)の内部に原子種を注入することにより支持基板内で薄肉支持層となる薄層(13)と支持基板の残余部分(11)との境界を画定する脆弱ゾーン(12)を形成する工程、b)後工程のエピタキシャル成長層(6, 6')の成長に適した材質の結晶核形成薄層(23)を前記薄層(13)の露出表面(130)上にこれら両層間に接合界面(4)を形成させて移載する工程、c)支持基板(1)の残余部分(11)を薄層(13)との接触を維持したまま脆弱ゾーン(12)に沿って分離する工程、d)結晶核形成薄層(23)上にエピタキシーによってエピタキシャル成長層(6, 6')を成長させる工程、及び e)支持基板(1)の残余部分(11)を薄層(13)から取り外す工程を備えている。光学、光電子工学又は電子工学分野で利用される。
請求項（抜粋）：
光学、光電子工学又は電子工学分野で使用されるエピタキシャル成長層(6、6’)を形成する方法であって、
a)支持基板となる第1基板(1)の内部に原子種を注入することにより支持基板内で薄肉支持層となる薄層(13)と支持基板の残余部分(11)との境界を画定する脆弱ゾーン(12)を形成する工程、
b)後工程のエピタキシャル成長層(6,6’)の成長に適した材質の結晶核形成薄層(23)を前記薄層(13)の露出表面(130)上にこれら両層間に接合界面(4)を形成させて移載する工程、
c)支持基板(1)の残余部分(11)を薄層(13)との接触を維持したまま脆弱ゾーン(12)に沿って分離する工程、
d)結晶核形成薄層(23)上にエピタキシーによってエピタキシャル成長層(6、6’)を成長させる工程、及び
e)支持基板(1)の残余部分(11)を薄層(13)から取り外す工程、
を備えたことを特徴とするエピタキシャル成長層の形成方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38
, C30B 29/36
, C23C 14/48
C30B29/38 D
, C30B29/36 A
, C23C14/48 Z
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077BE15
, 4G077DA05
, 4G077DA11
, 4G077DB01
, 4G077DB04
, 4G077DB08
, 4G077ED04
, 4G077ED06
, 4G077EE06
, 4G077EE08
, 4G077FJ03
, 4G077HA12
, 4G077SA01
, 4G077SA06
, 4G077SC01
, 4G077TB03
, 4G077TB05
, 4G077TC13
, 4G077TC14
, 4G077TC16
, 4G077TK01
, 4G077TK08
, 4G077TK11
, 4K029AA04
, 4K029AA06
, 4K029BA58
, 4K029BD01
, 4K029CA01
, 4K029CA10
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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