近接場光による露光方法と露光装置、及び露光マスク

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長尾達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-050898
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319875
出願日： 2001年02月26日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】近接場光を用いた露光において、均一なパターンを形成することが可能な露光方法と露光装置、及び露光マスクを提供する。【解決手段】近接場光による露光方法または装置において、露光用マスクを被加工物との距離が近接場光存在領域となる距離内に位置制御する行程と、前記露光用マスクの開口密度に応じて近接場光の強度を制御して前記被加工物を露光する行程とを備え、被露光物を露光するように構成する。

請求項（抜粋）：

近接場光による露光方法において露光用マスクを被加工物との距離が近接場光存在領域となる距離内に位置制御する行程と、前記露光用マスクの開口密度に応じて近接場光の強度を制御して前記被加工物を露光する行程とを有することを特徴とする近接場光による露光方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 1/14 , G03F 7/20 521 , G03F 9/00

FI (6件)：

G03F 1/08 A , G03F 1/14 A , G03F 7/20 521 , G03F 9/00 H , H01L 21/30 502 D , H01L 21/30 516 D

Fターム (8件)：

2H095BA03 , 2H095BB01 , 2H095BB31 , 2H095BC26 , 5F046AA25 , 5F046BA10 , 5F046CB17 , 5F046DA02

引用特許：

審査官引用 (7件)

マスクパターンの作成方法およびマスクパターン作成装置並びにマスク作成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-184146 出願人：ソニー株式会社
マスク製造のための近接効果補正方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-077796 出願人：聯華電子股ふん有限公司
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-219532 出願人：株式会社日立製作所

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