特許
J-GLOBAL ID：200903075080823571

半導体不揮発性メモリ及び半導体装置

発明者：
黒川 義元

黒川 義元 について

, 
加藤 清

加藤 清 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-165480
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359307
出願日： 2001年05月31日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：
【要約】【課題】記憶情報の書き込みまたは消去が、高速且つ低消費電力で行なえ、書き込みまたは消去後のしきい値電圧の分布幅が非常に狭い半導体不揮発性メモリを提供する。【解決手段】メモリトランジスタのチャネル領域102を、書き込み制御領域106と、書き込み領域107との二つの領域に分割する。書き込み制御領域106と、書き込み領域107とではしきい値電圧が異なる。また、書き込みは書き込み領域106のみで行なう。書き込みにより、浮遊ゲート109に蓄積された電荷量が特定の値に達すると、書き込み制御領域106がオフになる。この書き込み制御領域106を書き込み動作のスイッチとして利用し、書き込みを自動的に停止する。これにより、高速且つ低消費電力の書き込みが行なえ、書き込み後のしきい値電圧の制御性に優れたメモリトランジスタを実現する。
請求項（抜粋）：
チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域と、前記チャネル領域に積層された第一の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜に積層された浮遊ゲートと、前記浮遊ゲートに積層された第二の絶縁膜と、前記第二の絶縁膜に積層された制御ゲートと、からなるメモリトランジスタにより構成された半導体不揮発性メモリであって、前記チャネル領域は書き込み制御領域と、書き込み領域と、からなり、書き込み時に、前記書き込み制御領域から前記浮遊ゲートへの電荷注入を遮断する手段と、前記書き込み領域から前記浮遊ゲートへ電荷注入を行なう手段と、前記書き込み領域から前記浮遊ゲートへの電荷注入を停止する手段とを有することを特徴とする半導体不揮発性メモリ。
IPC (5件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (3件)：
H01L 27/10 461 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
Fターム (25件)：
5F083EP03 ,  5F083EP22 ,  5F083EP48 ,  5F083EP77 ,  5F083ER03 ,  5F083ER05 ,  5F083ER16 ,  5F083ER21 ,  5F083GA15 ,  5F083HA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA14 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA03 ,  5F101BA12 ,  5F101BA24 ,  5F101BB02 ,  5F101BC02 ,  5F101BC11 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07
引用特許：
審査官引用 (6件)
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