特許
J-GLOBAL ID：200903075111424964

MOS型トランジスタの製造方法

発明者：
井上 成人

井上 成人 について


出願人/特許権者：
セイコーインスツルメンツ株式会社

セイコーインスツルメンツ株式会社 について


代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-034824
公開番号（公開出願番号）：特開2000-236088
出願日： 1999年02月12日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：
【要約】【課題】 品質が高く、経時変化を防止したMOSトランジスタを得られるようにすること。【解決手段】 ゲート酸化膜及びゲート電極形成後に、アンモニアガス雰囲気で熱処理し、ゲート酸化膜形成後からゲート電極形成までの工程を簡略化し、ホットキャリア劣化する領域のみを窒化処理し、経時変化を防止した。
請求項（抜粋）：
MOS型トランジスタの製造方法において、ゲート酸化膜を形成する工程と、該ゲート酸化膜上にゲート電極膜を堆積する工程と、フォトリソグラフィーとエッチングにより該ゲート電極膜を加工しゲート電極とする工程と、アンモニアガス雰囲気に於いて熱処理する工程と、酸素雰囲気に於いて熱処理する工程と、イオン注入によりソース、ドレイン、ゲート電極に不純物ドーピングを行う工程からなるMOS型トランジスタの製造方法。
Fターム (9件)：
5F040DA00 ,  5F040DA06 ,  5F040DC01 ,  5F040EA08 ,  5F040EC07 ,  5F040EC13 ,  5F040ED03 ,  5F040FC00 ,  5F040FC11
引用特許：
審査官引用 (4件)
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