特許
J-GLOBAL ID:200903075111424964
MOS型トランジスタの製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
林 敬之助
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-034824
公開番号(公開出願番号):特開2000-236088
出願日: 1999年02月12日
公開日(公表日): 2000年08月29日
要約:
【要約】【課題】 品質が高く、経時変化を防止したMOSトランジスタを得られるようにすること。【解決手段】 ゲート酸化膜及びゲート電極形成後に、アンモニアガス雰囲気で熱処理し、ゲート酸化膜形成後からゲート電極形成までの工程を簡略化し、ホットキャリア劣化する領域のみを窒化処理し、経時変化を防止した。
請求項(抜粋):
MOS型トランジスタの製造方法において、ゲート酸化膜を形成する工程と、該ゲート酸化膜上にゲート電極膜を堆積する工程と、フォトリソグラフィーとエッチングにより該ゲート電極膜を加工しゲート電極とする工程と、アンモニアガス雰囲気に於いて熱処理する工程と、酸素雰囲気に於いて熱処理する工程と、イオン注入によりソース、ドレイン、ゲート電極に不純物ドーピングを行う工程からなるMOS型トランジスタの製造方法。
Fターム (9件):
5F040DA00
, 5F040DA06
, 5F040DC01
, 5F040EA08
, 5F040EC07
, 5F040EC13
, 5F040ED03
, 5F040FC00
, 5F040FC11
引用特許: