特許
J-GLOBAL ID：200903075122884703

突入電流低減回路

発明者：
菅野 伸

菅野 伸 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 三好 秀和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-120173
公開番号（公開出願番号）：特開2006-301804
出願日： 2005年04月18日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：
【課題】半導体を単なるスイッチとして用いるときの不都合解消を図った突入電流低減回路を提供する。【解決手段】スイッチSWがオフからオンになると、負荷2に突入電流が流れようとする。このとき、まず、直流電源1から抵抗R1を介してコンデンサC1の充電が始まる。充電開始当初は、コンデンサC1の両端の電位差すなわちトランジスタQ1のゲート電圧が小さいので、トランジスタQ1のバイアスは浅く、トランジスタQ1はカットオフされている。そして、充電継続により、トランジスタQ1のゲート電圧が大きくつまりトランジスタQ1のバイアスは深くなり、トランジスタQ1に電流が流れ始めるが、そのときにトランジスタQ1に流せられる電流は小さく、よって、負荷2への電流も小さい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
突入電流が流れる箇所に挿入される半導体素子と、 突入電流が流れていないときは前記半導体素子をバイアスを深めにし、突入電流が流れるときは前記半導体素子のバイアスを浅くする電流検出回路と を備えたことを特徴とする突入電流低減回路。
IPC (3件)：
G05F 3/24 ,  H02H 9/02 ,  H02J 1/00
FI (3件)：
G05F3/24 A ,  H02H9/02 ,  H02J1/00 309R
Fターム (21件)：
5G013AA04 ,  5G013BA01 ,  5G013CA10 ,  5G065BA04 ,  5G065EA09 ,  5G065HA07 ,  5G065HA11 ,  5G065JA02 ,  5G065NA01 ,  5G065NA02 ,  5G065NA04 ,  5G065NA05 ,  5H420BB04 ,  5H420BB13 ,  5H420DD10 ,  5H420EA10 ,  5H420EA12 ,  5H420EA42 ,  5H420KK02 ,  5H420NE03 ,  5H420NE15
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 電流制限回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-194812   出願人：三菱電機株式会社
審査官引用 (7件)
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