特許

J-GLOBAL ID：200903075230955285

気相成長装置及び気相成長方法

発明者： 阿久津 仲男 ,  徳永 裕樹 ,  植松 邦全 ,  山口 晃 ,  小関 修一
出願人/特許権者： 大陽日酸株式会社
代理人 (2件)： 木戸 一彦 ,  木戸 良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-006575
公開番号（公開出願番号）：特開2008-177187
出願日： 2007年01月16日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：

【課題】反応室を形成する石英ガラスの汚れの状態に関係なく反応室内の熱環境を安定させることができ、得られる薄膜の再現性や品質を向上させることができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。【解決手段】反応室15内のサセプタ13に保持した基板21を加熱するとともに、前記反応室内にガス導入管11から原料ガスを導入して前記基板の表面に気相成長を行う気相成長装置において、前記反応室の少なくとも基板対向面を石英ガラスで形成するとともに、該石英ガラスで形成した基板対向面の外面に、石英ガラスより大きな赤外線吸収能力を有する赤外線吸収板32を設ける。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

反応室内のサセプタに保持した基板を加熱するとともに、前記反応室内にガス導入管から原料ガスを導入して前記基板の表面に気相成長を行う気相成長装置において、前記反応室の少なくとも基板対向面を石英ガラスで形成するとともに、該石英ガラスで形成した基板対向面の外面に、前記石英ガラスより大きな赤外線吸収能力を有する赤外線吸収板を設けたことを特徴とする気相成長装置。

IPC (1件)：

H01L 21/205

FI (1件)：

H01L21/205

Fターム (15件)：

5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA52 ,  5F045DA55 ,  5F045DP15 ,  5F045DP28 ,  5F045EC03 ,  5F045EC05 ,  5F045EK21

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-291713   出願人：大陽日酸株式会社

審査官引用 (3件)

• III族窒化物結晶成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-131900   出願人：日本電気株式会社
• 気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-236621   出願人：日本酸素株式会社
• 処理装置および処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-083133   出願人：住友電気工業株式会社