特許
J-GLOBAL ID：200903075270927462

アルケニルフェノール系共重合体及びその製造方法

発明者：
松本 仁志

松本 仁志 について

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信原 幸和

信原 幸和 について

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君塚 新一

君塚 新一 について


出願人/特許権者：
日本曹達株式会社

日本曹達株式会社 について


代理人 (1件)： 廣田 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-263362
公開番号（公開出願番号）：特開2001-139626
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2001年05月22日
要約：
【要約】【課題】 酸により選択的かつ部分的にフェノール性水酸基の保護基が脱離・分解され、カルボン酸残基を含まない構造の制御された、狭分散性であり、優れた解像能力を有する化学増幅型・エキシマーレーザー用レジスト材料としてのESCAP型ポリマーを提供すること。【解決手段】 アニオン重合法を用い、フェノール性水酸基が保護されたアルケニルフェノール類あるいは該アルケニルフェノール類とビニル芳香族化合物と、(メタ)アクリル酸エステルとからなるブロック共重合体から、フェノール性水酸基の保護基を、酸性試剤を用い所定の量だけ脱離・分解させることを特徴とする、重量平均分子量(Mw)と数平均分子量(Mn)の比(Mw/Mn)が、1.00〜1.50の範囲であり、かつカルボン酸残基を有しないアルケニルフェノール系共重合体を合成する。
請求項（抜粋）：
一般式(I)【化1】(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表し、R2は、C1〜C5のアルキル基を表し、mは0、1又は2を表し、mが2の場合、R2は同一又は相異なっていてもよい。)で表される繰り返し単位及び一般式(II)【化2】(式中、R3は、水素原子又はメチル基を表し、R4は、酸脱離・分解基を表し、R5はC1〜C5のアルキル基を表し、nは0、1又は2を表し、nが2の場合、R5は同一又は相異なっていてもよい。)で表される繰り返し単位を含む成分(A)と、一般式(III)【化3】(式中、R6は水素原子又はメチル基を表し、R7は、t-ブチル基を有する酸脱離・分解基を表す。)で表される繰り返し単位を含む成分(B)とが、(A)-(B)型にブロック結合している共重合体において、重量平均分子量(Mw)と数平均分子量(Mn)の比(Mw/Mn)が、1.00〜1.50の範囲であり、かつカルボン酸残基を有しないことを特徴とするアルケニルフェノール系共重合体。
IPC (3件)：
C08F 8/12 ,  C08F297/02 ,  G03F 7/039 601
FI (3件)：
C08F 8/12 ,  C08F297/02 ,  G03F 7/039 601
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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