特許
J-GLOBAL ID：200903075305127448

半導体装置と半導体装置の製造方法およびそれに用いるレジストパターン形成方法

発明者：
松原 浩司

松原 浩司 について

, 
中尾 修治

中尾 修治 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-226790
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058786
出願日： 1998年08月11日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 溝を有する下地膜と、この溝の内部に形成された導電体膜とを備え、高い信頼性を有する半導体装置とその製造方法およびその製造方法において用いるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 上部表面と溝30a、30bとを有する下地膜23を形成する。上部表面上と溝30a、30bの内部とに導電体膜19、20を形成する。下地膜23の上部表面上と溝30a、30bの内部とに位置する導電体膜19、20上にフォトレジスト膜27を形成する。溝30a、30bの内部にフォトレジスト膜27を残存させ、溝30a、30bの内部以外に位置するフォトレジスト膜27を現像処理し除去する。溝30a、30bの内部に残存させたフォトレジスト膜27をマスクとして用いて、エッチングにより下地膜23の上部表面上に位置する導電体膜19、20を除去する。
請求項（抜粋）：
上部表面と溝とを有する下地膜を形成する工程と、前記上部表面上と前記溝の内部とに導電体膜を形成する工程と、前記下地膜の上部表面上と前記溝の内部とに位置する前記導電体膜上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記溝の内部にフォトレジスト膜を残存させ、前記溝の内部以外の領域に位置する前記フォトレジスト膜を現像処理し、除去する工程と、前記溝の内部に残存させた前記フォトレジスト膜をマスクとして用いて、エッチングにより前記下地膜の上部表面上に位置する前記導電体膜を除去する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065
FI (3件)：
H01L 27/10 621 C ,  H01L 21/30 563 ,  H01L 21/302 J
Fターム (26件)：
5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EA01 ,  5F004EA27 ,  5F004EB02 ,  5F046AA25 ,  5F046DA02 ,  5F046DA29 ,  5F046HA07 ,  5F046JA22 ,  5F046LA13 ,  5F046LA14 ,  5F046PA01 ,  5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083AD62 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083KA20 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR01
引用特許：
審査官引用 (10件)
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