特許
J-GLOBAL ID：200903075399103105

イオン注入装置

発明者：
山下 貴敏

山下 貴敏 について

, 
酒井 滋樹

酒井 滋樹 について

, 
藤澤 博

藤澤 博 について


出願人/特許権者：
日新電機株式会社

日新電機株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-302070
公開番号（公開出願番号）：特開2001-126656
出願日： 1999年10月25日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】 イオンビームの空間電荷効果による発散を抑制して、イオンビームの輸送効率を向上させる。【解決手段】 このイオン注入装置は、加速管8よりも下流側かつ分析スリット12よりも上流側におけるイオンビーム4の輸送経路に不活性ガス36を導入するガス導入手段30を備えている。
請求項（抜粋）：
イオンビームを引き出すイオン源と、このイオン源の下流側に設けられていて同イオン源から引き出されたイオンビームを加速または減速する加速管と、この加速管の下流側に設けられていて同加速管から導出されたイオンビームから特定エネルギーのイオンを選別するエネルギー分析電磁石と、このエネルギー分析電磁石の下流側近傍に設けられていて同エネルギー分析電磁石と協働して前記特定エネルギーのイオンを選別して導出する分析スリットとを備えていて、この分析スリットを通過したイオンビームをターゲットに入射させる構成のイオン注入装置において、前記加速管よりも下流側かつ前記分析スリットよりも上流側における前記イオンビームの輸送経路に不活性ガスを導入するガス導入手段を備えていることを特徴とするイオン注入装置。
IPC (3件)：
H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  H01L 21/265 603
FI (3件)：
H01J 37/317 Z ,  C23C 14/48 Z ,  H01L 21/265 603 B
Fターム (6件)：
4K029CA10 ,  4K029DE00 ,  4K029DE02 ,  4K029DE04 ,  5C034CC02 ,  5C034CC19
引用特許：
審査官引用 (4件)
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