特許
J-GLOBAL ID：200903099869247016

イオン照射装置

発明者：
内藤 勝男

内藤 勝男 について


出願人/特許権者：
日新電機株式会社

日新電機株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-202882
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027565
出願日： 1996年07月11日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：
【要約】【課題】 貫入構造の偏向マグネットの磁極の先端部が散乱粒子によってスパッタされることによって基板に金属コンタミネーションが生じるのを防止する。【解決手段】 貫入構造の偏向マグネットの一例であるビーム平行化マグネット8の上下の磁極20の先端部に遮蔽板30をそれぞれ着脱可能に被せ、これで各磁極20の先端部を覆っている。この遮蔽板30は、非磁性板の表面を、基板を構成する元素から成る被覆膜で覆ったものである。
請求項（抜粋）：
磁極の先端部が真空容器内に貫入した構造の偏向マグネットによってイオンビームを偏向してそれを基板に照射する構成のイオン照射装置において、前記偏向マグネットの磁極の先端部を、非磁性板の表面を前記基板を構成する元素から成る被覆膜で覆って成る着脱可能な遮蔽板で覆っていることを特徴とするイオン照射装置。
IPC (3件)：
H01J 37/317 ,  H01J 37/141 ,  H01L 21/265
FI (3件)：
H01J 37/317 A ,  H01J 37/141 A ,  H01L 21/265 D
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (10件)
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