特許
J-GLOBAL ID：200903032731738500
光抽出を向上させた微小発光ダイオードアレイ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
, 橋本 傳一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-542391
公開番号（公開出願番号）：特表2004-505434
出願日： 2000年11月20日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
本発明は光抽出効率の増加をもたらす新しいLED構造を説明している。この新しいLED構造は、逆極性にドープされた2つの層(16、18)の間に挟まれた活性層(14)を有する、電気的に相互に接続された微小LED(12)のアレイを備えている。この微小LEDは、微小LEDの底層(16)が第1のスプレッダ層(20)と接触する状態で、この第1のスプレッダ層(20)上に形成されている。第2のスプレッダ層(24)が微小LED(12)の上にこの微小LEDの最上層(16)と接触して形成されている。第1のスプレッダ層(20)は第2のスプレッダ層(24)と電気的に絶縁されている。スプレッダ層(20、24)はそれぞれコンタクト(22、26)を有し、このコンタクト(22、26)の間にバイアスが印加されると電流が微小LED(12)に広がって微小LEDが発光する。この新しいLEDは、微小LED(12)の発光面を増加させることによって効率が増加する。それぞれの微小LEDの活性層(14)から放出される光は短い距離を伝搬しただけで表面に達し、この光の内部全反射を低減させる。光抽出をさらに向上させるために各微小LED(12)の間に光抽出素子(LEE)(82、84、86、88、90、92、94)を備えることができる。この新しいLEDは標準の加工方法で作成され、これによって標準のLEDと同様な費用で生産性が高くなる。
請求項（抜粋）：
光抽出を向上させた発光ダイオード(LED)であって、
導電性の第1のスプレッダ層(20)と、
前記第1のスプレッダ層(20)の表面上に分離して配置され、それぞれが
p型層(16)、
n型層(18)、
前記p型層とn型層(16、18)との間に挟まれた活性層(14)を含み、前記p型層またはn型層の何れか一方が最上層で他の前記層が底層であり、前記第1のスプレッダ層(20)からの電流が前記底層内に広がるようにした、複数の微小発光ダイオード(微小LED)(12)と、
前記微小LED(12)の上の第2のスプレッダ層(24)とを備え、前記第2のスプレッダ層(24)からの電流が前記最上層中に広がり、前記第1および前記第2のスプレッダ層(20、24)の間に印加されたバイアスによって前記微小LED(12)が発光するようにしたことを特徴とする発光ダイオード(LED)。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 A
, H01L33/00 E
5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA13
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA75
, 5F041CA81
, 5F041CA99
, 5F041CB15
, 5F041CB22
, 5F041CB25
