特許

J-GLOBAL ID：200903075736088075

露光システム及び露光方法

発明者： 星 賢治
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-023685
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210814
出願日： 2005年01月31日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：

【課題】 補正露光量やショット領域の位置ずれ補正値を簡単に求めることが可能な露光システム及び露光方法を提供すること。【解決手段】 露光フィールド11内の複数の点においてレチクル3のMEFを求めるステップS1と、MEFの値に応じて露光フィールド11を複数のブロック11aに分割するステップS2と、複数のブロック11aのそれぞれにおけるMEFの値を利用することにより、遮光パターン3aの寸法変動に伴うレジストパターンの寸法変動が考慮された露光補正量をブロック11a毎に算出するステップS3と、を有することを特徴とする露光方法による。【選択図】 図9

請求項（抜粋）：

露光装置と、 露光フィールド内の複数の点においてレチクルのMEF(Mask Error Factor)を求め、該MEFの値に応じて露光フィールドを複数のブロックに分割し、該複数のブロックのそれぞれにおける前記MEFの値を利用することにより、遮光パターンの寸法変動に伴うレジストパターンの寸法変動が考慮された露光補正量を前記ブロック毎に算出する制御部と、 を有することを特徴とする露光システム。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20

FI (3件)：

H01L21/30 516D ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 516A

Fターム (6件)：

5F046BA03 ,  5F046CB17 ,  5F046DA02 ,  5F046DA06 ,  5F046DA13 ,  5F046DB04

引用特許：

出願人引用 (2件)

• ホトリソグラフィーの露光量算出方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-358257   出願人：宮崎沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社
• 露光方法及びデバイス製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-395924   出願人：株式会社ニコン

審査官引用 (4件)

• マスクエラー係数補償によりライン幅をコントロールするDUVスキャナ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-100410   出願人：エスヴィージーリトグラフィーシステムズインコーポレイテッド
• 半導体デバイスの製造方法およびそのシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-185770   出願人：株式会社日立製作所
• 露光条件決定システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-203512   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 露光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-350922   出願人：株式会社日立製作所