同軸ビアホールおよびその製造方法ならびにこれを用いた多層配線基板およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-023281
公開番号（公開出願番号）：特開2002-232143
出願日： 2001年01月31日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】複数の樹脂絶縁層と金属配線層からなる多層配線基板に対し、上下の金属配線層を接続させるための孔部のビアホールの形状において、信号伝送配線に接続する信号伝送用のビアホールを電源ならびにグランド配線層に接続するビアホールで囲む構造(コプレーナ化)を配設し、信号伝送時の電磁放射を抑制し高周波駆動時の信号の反射や減衰を軽減するビアホール形状を提供する。【解決手段】樹脂絶縁膜よりなる絶縁層と導体膜よりなる配線層とが交互に積層されてなる多層配線基板において信号伝送配線に接続しているビアホール6と、その周辺部に一定の間隔を絶縁層で隔てた同心円上の同軸に形成されている電源ならびにグランド配線に接続しているビアホール7を有する。

請求項（抜粋）：

樹脂絶縁膜よりなる絶縁層と導体膜よりなる配線層とが交互に積層されてなる多層配線基板において信号伝送配線に接続しているビアホールと、その周辺部に一定の間隔を絶縁層で隔てた同心円上の同軸に形成されている電源ならびにグランド配線に接続しているビアホールがあることを特徴とする同軸ビアホール。

IPC (3件)：

H05K 3/46 , H05K 3/00 , H05K 9/00

FI (5件)：

H05K 3/46 N , H05K 3/46 X , H05K 3/46 Z , H05K 3/00 N , H05K 9/00 R

Fターム (25件)：

5E321AA17 , 5E321BB21 , 5E321GG05 , 5E346AA12 , 5E346AA15 , 5E346AA32 , 5E346AA41 , 5E346AA43 , 5E346AA51 , 5E346BB02 , 5E346BB03 , 5E346BB04 , 5E346BB06 , 5E346BB16 , 5E346FF01 , 5E346FF04 , 5E346FF07 , 5E346FF12 , 5E346FF13 , 5E346FF14 , 5E346GG15 , 5E346GG17 , 5E346GG28 , 5E346HH04 , 5E346HH06

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭60-124101
多層回路基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-318042 出願人：松下電器産業株式会社
特開平1-168093

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