特許
J-GLOBAL ID：200903075873961347

検査用素子を有する半導体装置およびそれを用いた検査方法

発明者：
吉田 映二

吉田 映二 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-332146
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133423
出願日： 2001年10月30日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：
【要約】【課題】 LVP(Laser Voltage Probe)技術を用いて被検査半導体装置の入力端での信号変化をも検出することが可能な検査用素子を有する半導体装置およびそれを用いた検査方法を提供する。【解決手段】 配線13の先に接続された被検査半導体装置の入力端側にCMOSトランスミッションゲート9を接続し、これを介して入力信号を被検査半導体装置に与える。こうすれば、入力信号を与えたときに、CMOSトランスミッションゲート9を構成するNチャネルMOSトランジスタNT1およびPチャネルMOSトランジスタPT1のソース/ドレイン領域7a,7b,8a,8bのウェル1,2とのPN接合面に電位変化が生じる。よって、LVP技術を用いて半導体基板15の裏面から近赤外光レーザービーム10を照射し、その反射光の強度を測定することにより、上記PN接合面での電位変化を検出できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成され、入力端および出力端を含む被検査半導体装置と、PN接合面により区分されるソース領域および他のPN接合面により区分されるドレイン領域、並びにゲート電極を有する、前記半導体基板上に形成された検査用素子たるMIS(Metal Insulator Semiconductor)トランジスタとを備え、前記ソース領域およびドレイン領域のうち一方が前記被検査半導体装置の前記入力端に接続された検査用素子を有する半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/822 ,  G01R 31/28 ,  G01R 31/302 ,  H01L 21/66 ,  H01L 27/04
FI (4件)：
H01L 21/66 C ,  H01L 27/04 T ,  G01R 31/28 L ,  G01R 31/28 V
Fターム (17件)：
2G132AA00 ,  2G132AF14 ,  2G132AK07 ,  2G132AL11 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106AA07 ,  4M106AC02 ,  4M106BA05 ,  4M106BA08 ,  4M106CA70 ,  5F038DF01 ,  5F038DF05 ,  5F038DT11 ,  5F038DT12 ,  5F038DT20 ,  5F038EZ20
引用特許：
審査官引用 (4件)
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