半導体装置,半導体装置の製造方法,表示装置及び表示装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高松猛 , 矢澤清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-091567
公開番号（公開出願番号）：特開2009-267399
出願日： 2009年04月03日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：

【課題】暗電流の発生を抑制することができ、有機ELなどの電流駆動素子に好適な半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、その半導体装置を備えた表示装置を提供する。【解決手段】基板11と、チャネル領域を有する半導体層18とを備え、チャネル領域が、結晶成分の体積率をVcとし、非結晶成分の体積率をVaとしたときVc/Va>4を満たす酸化物半導体で構成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、チャネル領域を有する半導体層とを備え、前記チャネル領域が、結晶成分の体積率をVcとし、非結晶成分の体積率をVaとしたときVc/Va>4を満たす酸化物半導体で構成されている半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , G02F 1/136

FI (4件)：

H01L29/78 618Z , H01L29/78 618B , H01L29/78 619B , G02F1/1368

Fターム (45件)：

2H092HA04 , 2H092JA26 , 2H092JA33 , 2H092KA08 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092NA22 , 2H092PA09 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110NN02 , 5F110NN44 , 5F110NN45 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP10

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-262991 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
電気光学装置、並びに、電流制御用TFT基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-110543 出願人：出光興産株式会社
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-345457 出願人：凸版印刷株式会社

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