洗浄方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-129503
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307497
出願日： 1998年04月23日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】本発明は、半導体ウエット洗浄工程における薬品洗浄工程及び純水又は超純水を使用したリンス工程において、?@表面酸化膜の形成を抑制する?Aパーティクルの除去及び付着防止?Bシリコン原子の水素終端化を助長するリンス水又は薬液の提供を目的とする。【解決手段】本発明の洗浄方法は、リンスの際に使用する純水又は超純水に水素ガスを添加することにより表面酸化膜の形成を抑制し、また洗浄対象物がシリコン基板の場合、表面の水素終端化を促進する。またパーティクル除去効果、再付着防止のために水素ガスを添加した純水又は超純水に500KHz以上の周波数の振動を与えながら洗浄を行うことを特徴とする。またふっ酸に酸化性を有するオゾン若しくは過酸化水素を添加することにより従来の表面のエッチング効果にパーティクル付着防止効果を付与し、次に続く純水又は超純水中に水素ガスを添加したリンス水で洗浄することによりオゾン若しくは過酸化水素の添加により鈍化した水素終端化を促進する事を特徴とする。

請求項（抜粋）：

被洗浄物を薬液で洗浄した後、純水又は超純水中に水素ガスをを0.5ppm以上含有し、酸素ガスの溶存量が100ppb以下である純水又は超純水によりリンスを行うことを特徴とする洗浄方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 647 , H01L 21/304 642 , G02F 1/1333 500

FI (3件)：

H01L 21/304 647 Z , H01L 21/304 642 E , G02F 1/1333 500

引用特許：

審査官引用 (4件)

電子部品部材類の洗浄方法及び洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-237294 出願人：オルガノ株式会社, 株式会社フロンテック
ウエット処理方法および処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-184893 出願人：大見忠弘
純水供給システム及び洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-188146 出願人：大見忠弘

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