特許
J-GLOBAL ID：200903075913571148
化学的機械的研磨でのスピンオン誘電体の除去速度挙動
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-504516
公開番号（公開出願番号）：特表平10-510399
出願日： 1996年06月26日
公開日（公表日）： 1998年10月06日
要約：
【要約】間隙が充填された誘電性物質の平坦構造を、マイクロエレクトロニック装置を形成するのに有用な支持体地形上に形成する方法。誘電性物質をまず連続的な乾燥誘電層、好ましくはSOG層として堆積させる。次いで、この誘電層を化学的-機械的研磨(CMP)により部分的に除去する。SOG層の組成及びその後のCMP条件を変動させることによって、その構造体の化学的及び機械的特性を選ぶことができる。
請求項（抜粋）：
空隙のない連続的に平坦化された支持体表面を形成する方法であって、 (a)誘電性組成物を支持体の表面に、該表面上の空隙を均一にコートして充填するのに十分な量で適用すること;及び (b)前記支持体表面上の前記誘電性組成物が実質的に平坦化されるまで、前記誘電性組成物に化学的機械的研磨工程を行うことを含む方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, H01L 21/316
, H01L 21/3205
H01L 21/304 321 S
, H01L 21/304 321 M
, H01L 21/316 G
, H01L 21/316 P
, H01L 21/88 K
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)
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