3族窒化物半導体発光素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-299498
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125956
出願日： 1996年10月22日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】紫外線領域の光を発光する3族窒化物半導体発光素子の発光強度を向上させること。【解決手段】 3族窒化物半導体から成る紫及び紫外線領域の光を発光する発光層4を有する発光素子において、発光層4の上部に形成されるp-クラッド層5のAlGaN のアルミニウム組成率を8%以上30%以下とし、かつ、p-クラッド層5厚さを70nm以下にした。さらに、p-クラッド層5の上部に形成されるp-コンタクト層6を薄膜化すること、及び発光層4の下部に形成されるn-クラッド層3をAlGaN で形成すること、及び基板であるサファイア層1の裏面に反射膜10を取り付けることにより、紫及び紫外線領域の光の発光強度が向上した。

請求項（抜粋）：

3族窒化物半導体から成る発光層と発光層の上に形成されるp-クラッド層とを有する発光素子において、前記p-クラッド層は厚さ70nm以下の0.08≦x1≦0.3であるマグネシウム(Mg)ドープAlx1Ga1-x1N から成ることを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (6件)

発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-190069 出願人：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩
特開昭59-018688
特開昭63-301573

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