特許

J-GLOBAL ID：200903076045007911

気相法による酸化物半導体薄膜成膜用基板及び成膜方法

発明者： 佐野 道宏 ,  加藤 裕幸 ,  宮本 和弘
出願人/特許権者： スタンレー電気株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-176259
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022837
出願日： 2002年06月17日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】本発明は、熱副射に対して実質的に透明な基板上に酸化半導体薄膜を気相法により成長させる際に、基板の加熱効率を向上させるようにした、気相法による酸化物半導体薄膜成膜用基板及び成膜方法を提供することを目的とする。【解決手段】熱副射に対して実質的に透明なウェハ11と、このウェハの一側の面に密着形成され且つ熱副射に対して実質的に吸収体となる薄膜12と、から成り、熱副射による熱を薄膜により吸収してウェハに熱伝導させて、上記ウェハを加熱し、上記ウェハの他側の成長面に酸素雰囲気中で気相法により酸化成長膜を成膜するようにした、気相法による酸化物半導体薄膜成膜用基板10であって、上記薄膜が、酸素により酸化せず、またウェハ洗浄用エッチング液により腐蝕されない材料から構成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

熱副射に対して実質的に透明な材料から成るウェハと、このウェハの一側の面に密着形成され且つ熱副射に対して実質的に吸収体となる薄膜と、から構成されており、熱副射による熱を上記薄膜により吸収して上記ウェハに熱伝導させることにより、上記ウェハを加熱して、上記ウェハの他側の成長面に酸素雰囲気中で気相法により酸化成長膜を成膜するようにした、気相法による酸化物半導体薄膜成膜用基板であって、 上記薄膜が、酸素により酸化せず、またウェハ洗浄用エッチング液により腐蝕されない材料から構成されていることを特徴とする、気相法による酸化物半導体薄膜成膜用基板。

IPC (2件)：

H01L21/316 ,  C23C16/46

FI (2件)：

H01L21/316 X ,  C23C16/46

Fターム (7件)：

4K030BA42 ,  4K030FA10 ,  4K030KA22 ,  4K030KA24 ,  5F058BB06 ,  5F058BC03 ,  5F058BF01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 成膜用基板および電気素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-182545   出願人：日本酸素株式会社
• 基板上にIII-V属窒化物半導体材料を有する素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-039556   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション
• 赤外領域で透明な基板を用いた半導体装置の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-256726   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, ローム株式会社
• 気相成長用基板及びその加熱方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-225159   出願人：株式会社東芝