特許
J-GLOBAL ID:200903076111595986

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-380867
公開番号(公開出願番号):特開2002-184930
出願日: 2000年12月14日
公開日(公表日): 2002年06月28日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 半導体素子とステージ間の剥離や樹脂パッケージにクラックが発生することを抑制しつつ、かつ半導体素子で発生する熱を効率よく放熱することを課題とする。【解決手段】 半導体素子12と、サポートバー18Aに接続されると共に半導体素子12がAgペースト17を介して接合されるステージ13Aと、半導体素子12と電気的に接続されるリード14と、半導体素子12を封止する樹脂パッケージ15とを有してなる半導体装置において、ステージ13Aの面積を半導体素子12の面積より小さくすると共に、ステージ13Aに半導体素子12から発生する熱を放熱する放熱フィン19Aを設ける。
請求項(抜粋):
半導体素子と、サポートバーに接続されると共に、前記半導体素子が接合部材を介して接合されるステージと、前記半導体素子と電気的に接続されるリードと、前記半導体素子を封止する樹脂パッケージとを有してなる半導体装置において、前記ステージに前記半導体素子から発生する熱を放熱する放熱フィンを設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/50 ,  H01L 23/29
FI (3件):
H01L 23/50 U ,  H01L 23/50 F ,  H01L 23/36 A
Fターム (14件):
5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB05 ,  5F036BC05 ,  5F036BE01 ,  5F067AA03 ,  5F067AB03 ,  5F067BD05 ,  5F067BE05 ,  5F067BE07 ,  5F067CA04 ,  5F067CA05 ,  5F067CA06 ,  5F067DF16
引用特許:
審査官引用 (6件)
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