特許
J-GLOBAL ID:200903076172955420
研磨スラリーの清浄化法
発明者:
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出願人/特許権者:
,
代理人 (2件):
小谷 悦司
, 植木 久一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-238541
公開番号(公開出願番号):特開2004-075859
出願日: 2002年08月19日
公開日(公表日): 2004年03月11日
要約:
【課題】CMP(Chemical Mechanical Polishing)スラリーの如き研磨スラリーから金属イオンを効率よく除去して清浄化し、半導体ウエハなどの金属汚染を可及的に防止し、或いは更に、研磨スラリーを支障なくリサイクル使用し得るような清浄化法を開発すること。【解決手段】金属キレート形成能を有する官能基が繊維分子中に導入されたキレート形成性繊維を使用し、研磨スラリー中に存在する例えば鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛、クロム、モリブデン、タングステンなどの金属イオンを効率よく捕捉除去して清浄化する。
請求項(抜粋):
金属キレート形成能を有する官能基が繊維分子中に導入されたキレート形成性繊維を使用し、研磨スラリー中に存在する金属イオンを除去することを特徴とする研磨スラリーの清浄化法。
IPC (3件):
C09K3/14
, B24B57/02
, H01L21/304
FI (3件):
C09K3/14 550D
, B24B57/02
, H01L21/304 622D
Fターム (2件):
引用特許:
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