特許
J-GLOBAL ID：200903076215231749

電子線描画方法、マスクデータの生成方法及び電子線描画用マスクの形成方法

発明者：
小島 義則

小島 義則 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-058800
公開番号（公開出願番号）：特開2008-226905
出願日： 2007年03月08日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：
【課題】高いスループットでパターンを均一に描画し得る電子線描画方法を提供する。【解決手段】半導体ウェハ10上のチップ領域26内の複数の単位領域24の各々に対して、電子線描画用マスク14を用いてパターンを転写する電子線描画方法であって、複数の単位領域のうちの第1の単位領域内に転写される複数のパターンのうちの第1のパターンは、電子線描画用マスクに形成された第1の基本パターンを用いて、第1の照射量の電子線により第1の単位領域内に転写され、第1の単位領域内に転写される複数のパターンのうちの第2のパターンは、電子線描画用マスクに形成された第2の基本パターンを用いて、第1の照射量と異なる第2の照射量の電子線により第1の単位領域内に転写される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体ウェハ上のチップ領域内の複数の単位領域の各々に対して、電子線描画用マスクを用いてパターンを転写する電子線描画方法であって、 前記複数の単位領域のうちの第1の単位領域内に転写される複数のパターンのうちの第1のパターンは、前記電子線描画用マスクに形成された第1の基本パターンを用いて、第1の照射量の電子線により前記第1の単位領域内に転写され、 前記第1の単位領域内に転写される前記複数のパターンのうちの第2のパターンは、前記電子線描画用マスクに形成された第2の基本パターンを用いて、前記第1の照射量と異なる第2の照射量の電子線により前記第1の単位領域内に転写される ことを特徴とする電子線描画方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/08
FI (3件)：
H01L21/30 541S ,  H01L21/30 541M ,  G03F1/08 A
Fターム (13件)：
2H095BA08 ,  2H095BB02 ,  2H095BB36 ,  2H095BC09 ,  5F056AA22 ,  5F056CA02 ,  5F056CA05 ,  5F056CC12 ,  5F056CC13 ,  5F056CD06 ,  5F056CD13 ,  5F056CD15 ,  5F056FA05
引用特許：
出願人引用 (4件)
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