トラッピング(trapping)を低減させたIII族窒化物ベースの電界効果トランジスタ(FET)およびトランジスタの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：谷義一 , 阿部和夫 , 橋本傳一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-557092
公開番号（公開出願番号）：特表2004-517461
出願日： 2001年02月01日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

高められた高周波応答特性を提供する新規なIII族窒化物ベースの電界効果トランジスタ(10)および高電子移動度トランジスタ(30)を開示する。好ましいトランジスタ(10、30)は、GaN/AlGaNから作り、それらのバリア層(18、38)の表面に誘電層(22、44)を有する。その誘電層(22、44)は、バリア層(18、38)の中のトラップ(69)を中性化する高い割合のドナー電子(68)を有しており、そのため、そのトラップ(69)は、トランジスタ(10、30)の高周波応答を遅らせることができない。また、誘電層(22、44)を付着するためのスパッタリングを用いる新規な方法で、トランジスタ(10、30)を製造する新規な方法も開示する。

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタ(FET)であって、比抵抗が高い非伝導層(20)と、前記非伝導層(20)上のバリア層(18)と、前記バリア層(18)表面の一部を覆わないで、前記バリア層(18)と接触しているソースコンタクト、ドレインコンタクト、ゲートコンタクト(13、14、16)と、高い割合のドナー電子(68)を有し、前記コンタクト(13、14、16)の間で前記バリア層(18)表面に形成されている電子ソース層(22)と、を含むことを特徴とするFET。

IPC (3件)：

H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812

FI (2件)：

H01L29/80 B , H01L29/80 H

Fターム (15件)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F102GT04 , 5F102GT05 , 5F102GV08 , 5F102HC07 , 5F102HC11

引用特許：

審査官引用 (2件)

化合物半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-114605 出願人：日本電気株式会社
半絶縁性炭化ケイ素基板上の窒化物系トランジスタ
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-560616 出願人：クリーインコーポレイテッド

引用文献：

審査官引用 (3件)

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