特許
J-GLOBAL ID：200903076348227914
パワー半導体モジュール及びその製造方法、並びにモジュール基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-056862
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252387
出願日： 1999年03月04日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】 電力変換装置用のパワー半導体モジュールにおいて、繰り返しの温度ストレスに対して破壊の生じない高い信頼性を有するパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】 表面に配線パターンを備えた絶縁部材上にパワー半導体素子が搭載され、該絶縁部材が放熱板上に固定されたパワー半導体モジュールにおいて、該絶縁部材と該放熱板とを、直接、接合する。
請求項（抜粋）：
表面に配線パターンを備えた絶縁部材上にパワー半導体素子が搭載され、該絶縁部材が放熱板上に固定されたパワー半導体モジュールであって、該絶縁部材と該放熱板とが、直接、接合されてなることを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 J
, H01L 23/48 G
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (1件)
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