特許

J-GLOBAL ID：200903076358904507

半導体装置を製造する方法、および半導体装置

発明者： 秋田 勝史 ,  吉本 晋 ,  上野 昌紀
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (5件)： 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-165003
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347494
出願日： 2004年06月02日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：

【課題】窒化物基板上に良好な結晶品質のバッファ膜を形成する方法、および良好な結晶品質のバッファ層を有する半導体装置を提供する。【解決手段】GaN(0001)基板をサセプタ上に配置し、炉内圧力を30キロパスカルにして基板1のクリーニングを行う。その後、摂氏1050度の基板温度を摂氏1050度、炉内圧力を30キロパスカルに保持したまま、トリメチルガリウム、アンモニア、シランを導入して、厚さ1マイクロメートルの型GaNバッフア層3を基板1に成長する。その後、一旦原料の供給を停止する。次いで、装置内の圧力を30キロパスカルに保持したまま、摂氏1100度の基板温度になるまで加熱する。温度が安定した後に、更に厚さ1マイクロメートルのn型GaNバッファ層5を基板1上に成長する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体装置のためのバッファ膜を形成する方法であって、 窒化物基板の主面上に窒化物半導体バッファ膜を形成する工程を備え、 該工程は、 第1のガスを供給して第1の窒化物半導体バッファ層を窒化物基板の主面上に第1の圧力で形成する工程と、 前記第1の窒化物半導体バッファ層を形成した後に、第2のガスを供給して第2の窒化物半導体バッファ層を前記窒化物基板上に第2の圧力で形成する工程と を含み、 前記第2の圧力は前記第1の圧力より大きい、ことを特徴とする方法。

IPC (1件)：

H01L21/205

FI (1件)：

H01L21/205

Fターム (16件)：

5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AE30 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-139496   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物系半導体発光素子及び窒化物半導体層の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-022181   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体発光素子、それを使用した表示装置および光学式情報再生装置、並びに半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-171342   出願人：シャープ株式会社
• 半導体レーザ素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-386992   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-266928   出願人：日本碍子株式会社
• 半導体素子、エピタキシャル基板、半導体素子の製造方法、及びエピタキシャル基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-314768   出願人：日本碍子株式会社