特許
J-GLOBAL ID：200903068659857560
窒化物系半導体発光素子及び窒化物半導体層の成長方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-022181
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223743
出願日： 1999年01月29日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：
【要約】【課題】 GaN基板の上に形成される窒化物系半導体層の結晶性が良く、長寿命化に適した窒化物系半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 GaNからなる基板1の上面に、窒化物系半導体からなる発光層を形成してなる窒化物系半導体発光素子において、前記基板の上面のC面に対する傾斜角度が、0.03°以上、10°以下である。
請求項（抜粋）：
GaNからなる基板の上面に窒化物系半導体からなる発光層を形成してなる窒化物系半導体発光素子において、前記基板の上面がC面に対して傾斜していることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01S 5/22
, H01S 5/343
H01L 33/00 C
, H01S 3/18 662
, H01S 3/18 677
5F041AA43
, 5F041CA05
, 5F041CA23
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073CB07
, 5F073CB14
, 5F073DA05
, 5F073DA21
, 5F073DA35
, 5F073EA28
