光半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：和泉良彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-242364
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057372
出願日： 2000年08月10日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】光半導体素子に含まれる光素子とマイクロレンズの相対的な位置を高い精度で容易に制御することができる光半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】光素子(12)が形成されてある光半導体素子を、液状の未硬化樹脂(21)内に入れ、光照射装置(25)を用いて所望部分に光照射して被照射部分を硬化させた後、非硬化部分を除去して透明封止樹脂層(21b)を形成し、その上にマイクロレンズを形成する。

請求項（抜粋）：

液状の光硬化性透明樹脂内に、封止すべき光半導体素子を所定の深さに入れる工程と、上記光硬化性透明樹脂の所望部分に光を照射して被照射部分を硬化させ、硬化された上記光硬化性透明樹脂からなる透明封止樹脂層によって、少なくとも上記光半導体素子に含まれる光素子を覆う工程と、上記光硬化性透明樹脂の非硬化部分を除去して上記透明封止樹脂層を残す工程と、上記透明封止樹脂層の表面上の、上記光素子の上方にマイクロレンズを形成する工程を含み、上記深さは、上記液状の光硬化性透明樹脂の上面と上記光素子の上面の間の距離が、上記光素子とマイクロレンズの間の距離と等しくなるように設定されることを特徴とする光半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 33/00 , H01L 21/56 , H01L 23/28 , H01L 23/29 , H01L 23/31 , H01L 31/0232

FI (5件)：

H01L 33/00 M , H01L 21/56 J , H01L 23/28 D , H01L 23/30 B , H01L 31/02 D

Fターム (33件)：

4M109AA02 , 4M109BA03 , 4M109CA01 , 4M109DB07 , 4M109EA02 , 4M109EA08 , 4M109EA10 , 4M109EA11 , 4M109EA15 , 4M109EC11 , 4M109GA01 , 5F041AA37 , 5F041CB22 , 5F041DA12 , 5F041DA20 , 5F041DA44 , 5F041DA45 , 5F041DA46 , 5F041DA83 , 5F041DB09 , 5F041EE01 , 5F041EE17 , 5F061AA02 , 5F061BA03 , 5F061CA01 , 5F061FA01 , 5F088BA18 , 5F088EA02 , 5F088JA03 , 5F088JA06 , 5F088JA12 , 5F088JA14 , 5F088JA20

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置製造方法およびそれを用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-096513 出願人：株式会社日立製作所
光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-180859 出願人：シヤープ株式会社
チップ部品型LED及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-027956 出願人：シャープ株式会社

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