半導体装置とその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-351779
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183181
出願日： 1998年12月10日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 LDMOSトランジスタの製造プロセスを活用して高耐圧MOSトランジスタの特性の向上を図る。【解決手段】 Nチャネル型のLDMOSトランジスタ(A)とPチャネル型の高耐圧MOSトランジスタ(B)とを有するものにおいて、前記Pチャネル型の高耐圧MOSトランジスタ(B)のソース・ドレイン領域54,55が、低濃度ソース・ドレイン領域54A,55Aと、高濃度ソース・ドレイン領域54B,55Bと、中濃度ソース・ドレイン領域54C,55Cとで形成されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ソース領域、チャネル領域及びドレイン領域を有し、更に前記チャネル領域上にゲート電極が形成されており、前記チャネル領域及びドレイン領域間にドリフト領域が形成されて成る第1のMOSトランジスタと、ソース領域、チャネル領域及びドレイン領域を有し、更に前記チャネル領域上にゲート電極が形成されて成る第2のMOSトランジスタとを有する半導体装置において、前記第1のMOSトランジスタ内のドリフト領域が少なくとも前記ゲート電極下では浅く、かつ前記ドレイン領域近傍では深く形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/762 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 27/08 321 A , H01L 21/76 D , H01L 29/78 301 C , H01L 29/78 301 S

Fターム (17件)：

5F032AA13 , 5F032DA53 , 5F040DB03 , 5F040EF02 , 5F040FC11 , 5F040FC14 , 5F040FC17 , 5F048AA05 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB04 , 5F048BC03 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BG01 , 5F048BG12 , 5F048DA24

引用特許：

審査官引用 (9件)

拡大ドレインRESURF横DMOS装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-120340 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
特開昭62-274767
特開平2-138756

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