特許
J-GLOBAL ID:200903076429173860

ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-275338
公開番号(公開出願番号):特開2007-086430
出願日: 2005年09月22日
公開日(公表日): 2007年04月05日
要約:
【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用されるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することであり、プロファイル、ラインエッジラフネスが改善され、液浸露光にも好適なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)単環又は多環の脂環式炭化水素構造を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増加する樹脂及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物であって、(A)成分の樹脂が、極性基を有する連鎖移動剤を用いて重合した樹脂であるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(A)単環又は多環の脂環式炭化水素構造を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増加する樹脂及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物であって、(A)成分の樹脂が、極性基を有する連鎖移動剤を用いて重合した樹脂であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (3件):
G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 2/38
FI (3件):
G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F2/38
Fターム (12件):
2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ10 ,  2H025FA12 ,  4J011AA05 ,  4J011NA25 ,  4J011NB04
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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