特許
J-GLOBAL ID:200903099071684719
ポジ型レジスト組成物
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
萩野 平 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-285761
公開番号(公開出願番号):特開2001-109153
出願日: 1999年10月06日
公開日(公表日): 2001年04月20日
要約:
【要約】【課題】 高感度を有し、かつパターンのエッジラフネスが改良され、優れたレジストパターンプロファイルが得られる化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】 特定の脂環式炭化水素を含む部分構造のうち少なくとも1つで保護されたアルカリ可溶性基を含み、且つモノマー成分の含有量がゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)の全パターン面積の5%以下である、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂と活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。
請求項(抜粋):
(A)下記一般式(pI)〜一般式(pVI)で示される脂環式炭化水素を含む部分構造のうち少なくとも1つで保護されたアルカリ可溶性基を含み、且つモノマー成分の含有量がゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)の全パターン面積の5%以下である、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、【化1】(式中、R11は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基又はsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。R22〜R25は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。)(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (8件):
G03F 7/039 601
, C08F 2/06
, C08F 6/12
, C08F 20/10
, C08K 5/3492
, C08K 5/36
, C08L 33/04
, H01L 21/027
FI (8件):
G03F 7/039 601
, C08F 2/06
, C08F 6/12
, C08F 20/10
, C08K 5/3492
, C08K 5/36
, C08L 33/04
, H01L 21/30 502 R
Fターム (48件):
2H025AA01
, 2H025AA03
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BJ05
, 2H025BJ10
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CB56
, 2H025FA17
, 4J002BG041
, 4J002BG051
, 4J002BG071
, 4J002EB116
, 4J002EU186
, 4J002EV296
, 4J002FD206
, 4J002GP03
, 4J011AA05
, 4J011HA03
, 4J011HB05
, 4J011HB06
, 4J011HB13
, 4J011HB22
, 4J100AJ02R
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AM21R
, 4J100BA02R
, 4J100BA03R
, 4J100BA11R
, 4J100BA15Q
, 4J100BA55R
, 4J100BA58R
, 4J100BC23R
, 4J100BC26P
, 4J100BC52Q
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100DA28
, 4J100FA03
, 4J100GC07
引用特許:
引用文献:
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