特許
J-GLOBAL ID：200903076479952738
圧電体薄膜、圧電体薄膜の製造方法、圧電体素子、インクジェット記録ヘッド
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
宮崎 昭夫
, 石橋 政幸
, 岩田 慎一
, 緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-033223
公開番号（公開出願番号）：特開2005-272294
出願日： 2005年02月09日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】 不均一部分が少なく、かつ良好な圧電特性を保持した圧電体薄膜とその製造方法、およびこの圧電体薄膜を用いた圧電体素子、本圧電体素子を用いたインクジェット式記録ヘッドを提供する。【解決手段】 ゾルゲル法により基板上に形成された一般式Pb(1-x)Lax(ZryTi1-y)O3(式中、0≦x<1、0.05≦y≦1)で表されるペロブスカイト型結晶の圧電体薄膜において、該薄膜の膜厚を1000nm以上4000nm以下とし、該薄膜の任意の箇所における組成のy値の最大値と最小値の差を0.05以下とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一般式Pb(1-x)Lax(ZryTi1-y)O3(式中、0≦x<1、0.05≦y≦1)で表されるペロブスカイト型結晶の圧電体薄膜であって、
該圧電体薄膜の膜厚が1000nm以上4000nm以下であり、
該圧電体薄膜の表面に、円相当径200nm以上である結晶粒と円相当径40nm以下である結晶粒が含まれており、
該圧電体薄膜の表面に観測される円相当径40nm以下である結晶粒の個数が、圧電体薄膜の表面に観測される全結晶粒の個数に対して、5%以上であることを特徴とする圧電体薄膜。
IPC (8件)：
C04B35/49
, B41J2/045
, B41J2/055
, C01G25/00
, H01L41/09
, H01L41/187
, H01L41/22
, H01L41/24
C04B35/49 B
, C01G25/00
, H01L41/08 C
, H01L41/18 101D
, H01L41/22 A
, H01L41/22 Z
, B41J3/04 103A
2C057AF03
, 2C057AG44
, 2C057BA03
, 2C057BA14
, 4G031AA09
, 4G031AA11
, 4G031AA12
, 4G031AA32
, 4G031BA10
, 4G031CA01
, 4G031CA02
, 4G031CA04
, 4G031CA08
, 4G031GA02
, 4G031GA03
, 4G031GA04
, 4G031GA05
, 4G031GA06
, 4G031GA11
, 4G048AA03
, 4G048AB02
, 4G048AC01
, 4G048AD02
, 4G048AE08
